RBRxx60ANZ Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type diodes that come in a TO-220FN package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and operate at -55°C to +150°C temperature range. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low VF and high reliability. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
การกำหนดคุณสมบัติ
เทคโนโลยี
If - กระแสทางตรง
Vrrm - แรงดันย้อนกลับแบบวนซ้ำ
Vf - แรงดันทางตรง
Ifsm - กระแสเสิร์จทางตรง
Ir - กระแสย้อนกลับ
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การบรรจุ
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube