PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Qrr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of TVJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient VCEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
รูปแบบการติด
การกำหนดคุณสมบัติ
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์
ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์
กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การบรรจุ
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
เอกสารข้อมูลสินค้า
900มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
เอกสารข้อมูลสินค้า
834มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube