ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

NVBG020N120SC1

Name: onsemi NVBG020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG020N120SC1
Price: 1586.98 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-NVBG020N120SC1

หมายเลข Mfr.:

NVBG020N120SC1

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NVBG020N120SC1 เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NVBG020N120SC1

มีอยู่ในสต็อก: 234

สต็อก:: 234 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 14 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

จำนวนสินค้าที่มากกว่า 234 อาจถูกบังคับใช้ข้อกำหนดจำนวนขั้นต่ำในการสั่งซื้อสินค้า

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 800 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿1,586.98	฿1,586.98
	฿1,377.03	฿13,770.30
	฿1,281.80	฿128,180.00
	฿1,281.48	฿640,740.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 800 จำนวนหลายชิ้น)
	฿1,125.48	฿900,384.00
24,800	เสนอราคา

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	SiC MOSFET
REACH - SVHC:
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	D2PAK-7
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	1.2 kV
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	98 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	28 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4.3 V
Qg - ชาร์จเกต:	220 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	468 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
คุณสมบัติ:	AEC-Q101
ยี่ห้อ:	EliteSiC
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	9 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	34 S
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
ประเภทสินค้า:	SiC MOSFETS
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	20 ns
ระดับ:	NVBG020N120SC1
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	800
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
เทคโนโลยี:	SiC
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	42 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	22 ns
น้ำหนักต่อหน่วย:	4.675 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NVBG020N120SC1 เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

NVBG020N120SC1 N-Channel Silicon Carbide MOSFETs

onsemi NVBG020N120SC1 N-Ch Silicon Carbide MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. The NVBG020N120SC1 MOSFETs implement higher efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi device's low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. The NVBG020N120SC1 N-Ch Silicon Carbide MOSFETs are qualified for automotive use according to AEC-Q101, making them ideal for automotive applications.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.