AFGHL75T65SQDC

onsemi
863-AFGHL75T65SQDC
AFGHL75T65SQDC

Mfr.:

คำอธิบาย:
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

มีอยู่ในสต็อก: 447

สต็อก:
447 สามารถจัดส่งได้ทันที
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
8 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
฿357.53 ฿357.53
฿213.57 ฿2,135.70
฿178.29 ฿17,829.00
฿171.05 ฿76,972.50

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
onsemi
ประเภทสินค้า: IGBT
มาตรฐาน RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL75T65SQDC
Tube
เครื่องหมายการค้า: onsemi
ตัวสะสมกระแสไฟ IC สูงสุดอย่างต่อเนื่อง: 80 A
กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์: 400 nA
ประเภทสินค้า: IGBT Transistors
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 450
หมวดหมู่ย่อย: IGBTs
ยี่ห้อ: EliteSiC
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT

onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT offers 4th generation high-speed IGBT technology. This device is AEC-Q101 qualified and provides optimum performance for hard and soft-switching topologies in automotive applications. onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT also features high current capability, fast switching, and tight parameter distribution.