MOSFET OptiMOS™-5 ขนาด 60V IAUZ4xN06S5 สำหรับยานยนต์

MOSFET OptiMOS™-5 ขนาด 60V IAUZ4xN06S5 สำหรับยานยนต์ ของ Infineon Technologies มีความต้านทานต่ำบนขาเดรนและขาซอร์สในสถานะเปิดทำงาน การชาร์จเกตที่ต่ำ และความจุไฟฟ้าที่เกตต่ำ ช่วยลดการนำไฟฟ้าและการสูญเสียในระหว่างสวิตชิ่ง MOSFET โหมด เพิ่มประสิทธิภาพ แบบ N-channel เหล่านี้ยังให้ความสามารถการชาร์จฟื้นตัวย้อนกลับที่ต่ำมากตั้งแต่ 22.7nC ถึง 23.0nC 

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
คุณสมบัติ
ยี่ห้อ
การบรรจุ
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
เอกสารข้อมูลสินค้า
4,057มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
เอกสารข้อมูลสินค้า
13,003มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel