STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
การกำหนดคุณสมบัติ
If - กระแสทางตรง
Vrrm - แรงดันย้อนกลับแบบวนซ้ำ
Vf - แรงดันทางตรง
Ifsm - กระแสเสิร์จทางตรง
Ir - กระแสย้อนกลับ
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
คุณสมบัติ
การบรรจุ
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
452มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
571มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,13616/6/2569 ที่คาดหวัง
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-9 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 1.1 kA 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel