IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM

ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM features programmable burst length, burst sequence, and CAS latency, enabling further advantages.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD ประเภท
ขนาดหน่วยความจำ
ความกว้างของบัสข้อมูล
ค่าสูงสุดของความถี่นาฬิกา
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
องค์กร
ระยะเวลาในการเข้าถึง
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด)
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด)
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
เอกสารข้อมูลสินค้า
135มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
เอกสารข้อมูลสินค้า
96มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1,500
หลายรายการ: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel