ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 1551.38 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

511-M2TP80M12W2-2LA

หมายเลข Mfr.:

M2TP80M12W2-2LA

Mfr.:

STMicroelectronics

คำอธิบาย:

MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

ทำให้การออกแบบของคุณสมบูรณ์แบบ

วัฏจักร:

สินค้าใหม่:

สินค้าใหม่จากผู้ผลิตนี้

เอกสารข้อมูลสินค้า:

M2TP80M12W2-2LA เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA

มีอยู่ในสต็อก: 127

สต็อก:: 127 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 19 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿1,551.38	฿1,551.38
	฿1,160.15	฿12,761.65
	฿1,102.50	฿121,275.00
506	เสนอราคา

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	STMicroelectronics
ประเภทสินค้า:	โมดูล MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
รูปแบบการติด:	Press Fit
จำนวนช่องสถานี:	6 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	1.2 kV
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	30 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	114 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	5 V
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 40 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	STMicroelectronics
ความสูง:	5.7 mm
ความยาว:	44 mm
สินค้า:	Power Modules
ประเภทสินค้า:	MOSFET Modules
คุณสมบัติ:	AQG 324
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	11
หมวดหมู่ย่อย:	Discrete and Power Modules
Vf - แรงดันทางตรง:	1.1 V
ความกว้าง:	27.4 mm
น้ำหนักต่อหน่วย:	13 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

M2TP80M12W2-2LA เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-9-17 (PDF)

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

M2TP80M12W2-2LA Automotive Power Module

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Automotive Power Module offers a three-phase four-wire PFC topology with integrated NTC, tailored for the PFC stage of the OBC in hybrid and electric vehicles. The power module integrates six second-generation silicon carbide Power MOSFETs. The well-recognized chip technology allows the STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA to minimize energy losses and operate in a high switching frequency mode. The module lets users create complex topologies with very high power densities and high efficiency requirements.