GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs

ROHM Semiconductor GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs are designed for high-performance power conversion applications. These High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) feature a high breakdown voltage and a low gate charge. The GNP2x GaN HEMTs offer high efficiency, high power density, and fast switching capabilities. These GaN HEMTs feature an 8.5V transient gate-to-source voltage and operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include high switching frequency and high-density converters.

ผลการค้นหา: 4
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,286มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,679มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,955มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,000

SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 98 mOhms - 10 V to + 6.5 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
เอกสารข้อมูลสินค้า
3,500ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33.8 A 70 mOhms - 10 V, 6.5 V 2.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 187 W Enhancement