600 V N-Channel MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) 600V N-Channel MOSFET ตั้งอยู่บนพื้นฐานของ Super-Junction (SJ) technology ซึ่งมีคุณสมบัติ RDS(on) ต่ำและผสานไดโอดฟื้นตัวเร็วเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ ไดโอดการกู้คืนเร็วในตัวเหล่านี้ช่วยให้มั่นใจในเวลาฟื้นตัวได้อย่างรวดเร็ว เพิ่มประสิทธิภาพการสวิตชิ่งโดยรวมและความน่าเชื่อถือของวงจร MOSFET แบบ N-channel 600V มีความต้านทานสถานะเปิดต่ำที่ 193mΩ ช่วยให้มั่นใจในการสูญเสียพลังงานต่ำที่สุด MOSFET เหล่านี้เป็นการอัปเกรดที่ยอดเยี่ยมและราบรื่นสําหรับการออกแบบในปัจจุบัน และวางจําหน่ายในแพ็คเกจแบบแยก (TO-220F) และแบบไม่แยก (TO-220AB) MOSFET แบบ N-channel 600 V เหมาะสําหรับการแปลงพลังงาน อุปกรณ์จ่ายพลังงาน อุปกรณ์แปลงไฟ AC-DC การควบคุมมอเตอร์ ตัวขับมอเตอร์ และสวิตชิ่งแรงดันสูง

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
การบรรจุ
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,880มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12.3 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Bulk
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,941มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17.9 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Bulk