SiHG47N60E E Series MOSFETs

Vishay Siliconix SiHG47N60E E Series 600V High-Voltage MOSFETs offer low figure-of-merit (FOM), low input capacitance, and reduced switching and conduction losses. These high-voltage MOSFETs also feature ultra-low gate charges and come in avalanche energy rating (UIS). The SiHG47N60E E Series facilitates compliance with Energy Star 80 Plus certification. These Vishay Siliconix SiHG47N60E high-voltage MOSFETs are available in a single configuration. Typical applications include Switch Mode Power Supplies (SMPS), Power Factor Correction (PFC) power supplies, High-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting, welding, induction heating, and motor drives.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ การบรรจุ

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 2,785มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 942มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube