ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
คุณสมบัติ
ยี่ห้อ
การบรรจุ
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
เอกสารข้อมูลสินค้า
ความคิดเห็นเกี่ยวกับสินค้า
1,560มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
เอกสารข้อมูลสินค้า
ความคิดเห็นเกี่ยวกับสินค้า
3,703มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel