ADL8121 GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. ADL8121 GaAs (Gallium Arsenide) pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Low Noise Amplifier operates from 0.025GHz to 12.0GHz and provides a typical gain of 16.5dB. The ADL8121 Amplifier features a low a 2.5dB typical noise figure and a typical output third-order intercept (OIP3) of 36dBm. The 21.5dBm saturated output power (PSAT) enables the device to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase and quadrature (I/Q), and image rejection mixers.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD ความถี่ในการใช้งาน
การจ่ายแรงดันที่ใช้งาน
กระแสไฟฟ้าที่จ่ายใช้งาน
ได้รับ
NF - ค่าแสดงการกำเนิดสัญญาณรบกวน
ประเภท
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
เทคโนโลยี
P1dB - จุดบีบอัด 1 เดซิเบล
OIP3 - จุดตัดสัญญาณอันดับสาม
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ
Analog Devices RF Amplifier 0.1 12 GHz High Linear LNA
เอกสารข้อมูลสินค้า
75ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier 0.1 12 GHz High Linear LNA
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 11 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 3,000
หลายรายการ: 3,000
ม้วน: 3,000

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Reel