ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 65.52 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

942-IRF100B201

หมายเลข Mfr.:

IRF100B201

Mfr.:

Infineon Technologies

คำอธิบาย:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

เอกสารข้อมูลสินค้า:

IRF100B201 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Infineon Technologies IRF100B201

มีอยู่ในสต็อก: 9,840

สต็อก:: 9,840 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿65.52	฿65.52
	฿41.58	฿415.80
	฿39.69	฿3,969.00
	฿32.13	฿16,065.00
	฿28.57	฿28,570.00
	฿28.51	฿57,020.00
	฿27.44	฿137,200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	Infineon
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
REACH - SVHC:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	Through Hole
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	TO-220-3
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	100 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	192 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	4.2 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 20 V, 20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	2 V
Qg - ชาร์จเกต:	170 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	441 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
ยี่ห้อ:	StrongIRFET
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	Infineon Technologies
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	100 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	278 S
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	97 ns
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	110 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	17 ns
น้ำหนักต่อหน่วย:	2 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

IRF100B201 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.