GAN039 CCPAK1212-Packaged Power GaN FETs

Nexperia GAN039 CCPAK1212-Packaged Power GaN FETs offer copper-clip package technology with low inductances, low switching losses, and high reliability. Wire-bond-free for optimized thermal and electrical performance, these devices provide a cascade configuration to eliminate the need for complicated drivers and controls. The surface-mount GAN039 FETs have top-side (CCPAK1212i) or traditional bottom-side (CCPAK1212) cooling to improve heat dissipation, providing added design flexibility. The CCPAK1212 and CCPAK1212i package styles feature a compact footprint. Flexible gull-wing leads provide robust board-level reliability for extreme temperature environments. Typical applications include servo motor drives, PV and UPS inverters, bridgeless totempole PFC, and soft switching converters.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ
Nexperia GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 589มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 950มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement