Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.

ผลการค้นหา: 9
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
รูปแบบการติด
การกำหนดคุณสมบัติ
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์
ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์
กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
เอกสารข้อมูลสินค้า
24,183มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,233มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
เอกสารข้อมูลสินค้า
6,978มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 40 A 192 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,187มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
5,811มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,840มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,830มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,967มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,783มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube