High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

ชนิดของ ทรานซิสเตอร์
เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ผลการค้นหา: 18
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS ประเภทสินค้า
เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
650มีอยู่ในสต็อก
6259/7/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,734มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
290มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
เอกสารข้อมูลสินค้า
281มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
199มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
277มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
เอกสารข้อมูลสินค้า
121มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,013มีอยู่ในสต็อก
9021/7/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
297มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
เอกสารข้อมูลสินค้า
104มีอยู่ในสต็อก
30019/8/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 24 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 54 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 54 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 54 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 54 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 80 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 25
หลายรายการ: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 54 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 300
หลายรายการ: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3