1200V Common Emitter IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V Common Emitter IGBT Modules are part of the TRENCHSTOP™ IGBT7 portfolio that combines a 600A or 800A common emitter with low saturation and a fast trench IGBT module with an emitter-controlled diode. The 1200V Common Emitter IGBT Modules provide higher current capability in existing packages, allowing an increase in inverter output power with the same frame size. The Infineon 1200V Common Emitter IGBT Modules supply high power density, reliability, and flexibility, prepared for three-level configuration.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า
การกำหนดคุณสมบัติ
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์
กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การบรรจุ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
26มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A common emitter IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
11มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray