ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

CMPA5259050S-AMP1

Name: MACOM CMPA5259050S-AMP1
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA5259050SAMP1
Price: 47287.49 THB
Availability: InStock

หมายเลขของ Mouser:

941-CMPA5259050SAMP1

หมายเลข Mfr.:

CMPA5259050S-AMP1

Mfr.:

MACOM

คำอธิบาย:

RF Development Tools Evaluation board for CMPA5259050S

เอกสารข้อมูลสินค้า:

CMPA5259050S-AMP1 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ MACOM CMPA5259050S-AMP1

มีอยู่ในสต็อก: 2

สต็อก:: 2 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

ผลิตภัณฑ์นี้จัดส่งฟรี

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿47,287.49	฿47,287.49

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	MACOM
ประเภทสินค้า:	เครื่องมือพัฒนาอุปกรณ์สัญญาณวิทยุ
มาตรฐาน RoHS:	N
ประเภท:	Power Amplifiers
เครื่องหมายการค้า:	MACOM
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 225 C
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 65 C
การจ่ายแรงดันที่ใช้งาน:	28 V
การบรรจุ:	Bulk
ประเภทสินค้า:	RF Development Tools
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1
หมวดหมู่ย่อย:	Development Tools

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

CMPA5259050S-AMP1 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

CMPA5259050S-AMP1 Test Board

MACOM CMPA5259050S-AMP1 Test Board is designed to quickly and easily demonstrate the CMPA5259050S amplifier. The CMPA5259050S GaN MMIC Power Amplifier includes a two-stage reactively matched amplifier design approach enabling high power and power-added efficiency. The gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) features 27dB small-signal gain, 65W typical PSAT, and up to 28V operation.