TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

ชนิดของ การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนำ
เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ผลการค้นหา: 15
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS ประเภทสินค้า
เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,435มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,290มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
615มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,795มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
401มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
279มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
เอกสารข้อมูลสินค้า
382มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
720มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 40 A 3-level IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
9มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
ม้วน: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 240
หลายรายการ: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4