SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs are fourth-generation MOSFETs that provide low on-resistance and improved short-circuit withstand time. These MOSFETs feature 1200V VDS, fast switching speed, 4.7mm minimum creepage distance, and fast recovery time. The SCT40xKWA MOSFETs are RoHS compliant and simple to drive. Typical applications include induction heating, DC-DC converters, solar inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
โหมดช่องสัญญาณ
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
เอกสารข้อมูลสินค้า
796มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
เอกสารข้อมูลสินค้า
800มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement