GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA and GANB012-040CBA GaN HEMTs are 40V, 1.2mΩ or 12mΩ, bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistors (HEMTs).
ไทย|
บาท
Incoterms:FCA (ระบุสถานที่จัดส่ง) ภาษี, ภาษีศุลกากรและภาษีอื่น ๆ จะได้รับการจัดเก็บเมื่อรับสินค้า ฟรีค่าจัดส่ง เมื่อสั่งซื้อมากกว่า ฿1,600 (THB) |
|
ดอลลาร์สหรัฐ
Incoterms:FCA (ระบุสถานที่จัดส่ง) ภาษี, ภาษีศุลกากรและภาษีอื่น ๆ จะได้รับการจัดเก็บเมื่อรับสินค้า ฟรีค่าจัดส่ง เมื่อสั่งซื้อมากกว่า $50 (USD) |
Nexperia GANB1R2-040QBA and GANB012-040CBA GaN HEMTs are 40V, 1.2mΩ or 12mΩ, bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistors (HEMTs).