MOSFET พลังงาน SiC 1,200 V IXSJxN120R1

Littelfuse IXSJxN120R1 1200V Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs are high-performance devices designed for demanding power conversion applications. The Littelfuse IXSJxN120R1 MOSFETs leverage the superior properties of SiC technology to deliver low switching losses, high efficiency, and excellent thermal performance. The IXSJ25N120R1 offers a typical RDS(on) of 80mΩ and is optimized for lower current applications, while the IXSJ43N120R1 and IXSJ80N120R1 provide lower on-resistance values of 45mΩ and 20mΩ, respectively, supporting higher current handling capabilities. All three devices feature fast switching speeds, robust avalanche capability, and a Kelvin source pin for improved gate drive control. These characteristics make the IXSJxN120R1 series ideal for use in electric vehicle inverters, solar inverters, industrial motor drives, and high-efficiency power supplies.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
IXYS SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
402มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
478มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
เอกสารข้อมูลสินค้า
483มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement