MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature 139W to 227W maximum power dissipation (Tc=25°C) and 29A to 49A continuous drain current (Tc=25°C). The MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247 3L or TO-247 4L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

ผลการค้นหา: 5
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
ยี่ห้อ
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,313มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 57 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 57 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 57 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC