JFET และ LDMOS FET RF 5 G

ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าแบบจุดเชื่อมต่อ RF (JFET) ขนาด 5G และ FET เซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์โลหะแบบกระจายด้านข้าง (LDMOS) เป็นทรานซิสเตอร์พลังงานสูงที่เพิ่มประสิทธิภาพทางความร้อนสําหรับระบบส่งสัญญาณแบบไร้สายสมัยใหม่ อุปกรณ์เหล่านี้นําเสนอเทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ที่มีการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูง (HEMT) GaN บน SiC การจับคู่อินพุตประสิทธิภาพสูง และแพ็กเกจติดยึดบนพื้นผิวที่เพิ่มประสิทธิภาพทางความร้อน พร้อมหน้าแปลนแบบเอียเลสแฟลงก์ (earless flange) MACOM 5G RF JFET และ LDMOS FET เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานเครื่องขยายสัญญาณเสียงเซลลูลาร์แบบมัลติสแตนดาร์ด 

ชนิดของ อุปกรณ์กึ่งตัวนำ
เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ผลการค้นหา: 8
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS
MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
17มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 50

MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
30มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 50

MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
40มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 50

MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
53มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 50

MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
50มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 50

MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
90มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 250

MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
40มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 50

MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 50
หลายรายการ: 50
ม้วน: 50