S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ระดับ
ขนาดหน่วยความจำ
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด)
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด)
ค่ากระแสไฟฟ้าที่ใช้งานอยู่ - สูงสุด
ประเภทอินเตอร์เฟส
ค่าสูงสุดของความถี่นาฬิกา
องค์กร
ความกว้างของบัสข้อมูล
ประเภทของการกำหนดเวลา
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
คุณสมบัติ
การบรรจุ
Infineon Technologies NOR Flash PNOR
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 660
หลายรายการ: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR Flash Nor
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 3,380
หลายรายการ: 3,380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR Flash Nor
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,600
หลายรายการ: 1,600
ม้วน: 1,600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel