MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

ผลการค้นหา: 4
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ การกำหนดคุณสมบัติ ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาเบส VCBO แรงดันระหว่างอิมิเตอร์และขาเบส VEBO แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์ Pd - กำลังงานสูญเสีย ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน คุณสมบัติ การบรรจุ
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 5,679มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1,083มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1,040มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
2,39529/4/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape