Automotive MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics Automotive MDmesh™ V Power MOSFET is the industry’s first 650V AEC-Q101 automotive-qualified MOSFETs in the popular TO-247 package. The 650V rating provides a greater safety margin when exposed to high-voltage spikes, enhancing the reliability of automotive power and control modules. This device offers extremely low on-resistance (RDS(on)) as low as 0.032Ω, combined with the compact TO-247 outline, enhances system energy efficiency and power density. Gate charge (Qg) and input capacitance are also low, resulting in an outstanding Qg x RDS(on) figure of merit (FOM) with high switching performance and efficiency.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
คุณสมบัติ
ยี่ห้อ
การบรรจุ

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
เอกสารข้อมูลสินค้า
23มีอยู่ในสต็อก
267ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 24 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 203 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement AEC-Q100 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,2009/3/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 710 V 46 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 142 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube