Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

ผลการค้นหา: 5
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า
การกำหนดคุณสมบัติ
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์
กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C
กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์
Pd - กำลังงานสูญเสีย
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การบรรจุ
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
30มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
13มีอยู่ในสต็อก
1526/2/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
17มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
12มีอยู่ในสต็อก
1521/4/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
เอกสารข้อมูลสินค้า
1524/2/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk