FDMS4D5N08LC

onsemi
863-FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC

Mfr.:

คำอธิบาย:
MOSFETs 80V 116A 4.2mOhm

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

มีอยู่ในสต็อก: 960

สต็อก:
960
สามารถจัดส่งได้ทันที
ในการสั่งซื้อ:
3,000
27/2/2569 ที่คาดหวัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
21
สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:
การบรรจุ:
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™
฿100.10 ฿100.10
฿70.53 ฿705.30
฿52.33 ฿5,233.00
฿46.15 ฿23,075.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)
฿37.38 ฿112,140.00
† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
onsemi
ประเภทสินค้า: MOSFET
มาตรฐาน RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
80 V
116 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
113.6 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
เครื่องหมายการค้า: onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ: Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก: 17 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด: 135 S
ประเภทสินค้า: MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น: 19 ns
ระดับ: FDMS4D5N08LC
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 3000
หมวดหมู่ย่อย: Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์: 1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป: 59 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป: 13 ns
น้ำหนักต่อหน่วย: 122.136 mg
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET

onsemi FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a soft body diode.