IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

ผลการค้นหา: 10
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า
การกำหนดคุณสมบัติ
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์
กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C
กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การบรรจุ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
6มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
17มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
25มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
2มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
18มีอยู่ในสต็อก
206/5/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
10มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
2028/4/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ไม่
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 14 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 14 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 14 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray