NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Mfr.:

คำอธิบาย:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD
ข้อมูลเพิ่มเติม
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NTH4L060N065SC1

มีอยู่ในสต็อก: 430

สต็อก:
430 สามารถจัดส่งได้ทันที
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
17 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
฿265.55 ฿265.55
฿197.51 ฿1,975.10
฿190.26 ฿19,026.00
฿183.65 ฿82,642.50
฿183.02 ฿164,718.00
2,700 เสนอราคา

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
onsemi
ประเภทสินค้า: SiC MOSFET
มาตรฐาน RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
เครื่องหมายการค้า: onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ: Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก: 11 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด: 12 S
การบรรจุ: Tube
ประเภทสินค้า: SiC MOSFETS
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น: 14 ns
ระดับ: NTH4L060N065SC1
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 450
หมวดหมู่ย่อย: Transistors
เทคโนโลยี: SiC
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป: 24 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป: 11 ns
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has low ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่ได้คาดการณ์ไว้


มีข้อสงสัยหรือไม่? โปรดไปที่ ศูนย์ความช่วยเหลือ
สําหรับคําถามเกี่ยวกับการสั่งซื้อที่เฉพาะเจาะจง โปรดเข้าสู่ระบบ บัญชีของคุณ

หากคุณพบปัญหาเพิ่มเติม โปรดติดต่อเราที่หมายเลข 800-346-6873 หรืออีเมล help@mouser.com