QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz 46มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged
100ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W