ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

SCT4018KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KW7TL
Price: 960.38 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

755-SCT4018KW7TL

หมายเลข Mfr.:

SCT4018KW7TL

Mfr.:

ROHM Semiconductor

คำอธิบาย:

SiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

เอกสารข้อมูลสินค้า:

SCT4018KW7TL เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL

มีอยู่ในสต็อก: 1,175

สต็อก:: 1,175 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 27 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

จำนวนสินค้าที่มากกว่า 1175 อาจถูกบังคับใช้ข้อกำหนดจำนวนขั้นต่ำในการสั่งซื้อสินค้า

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 1000 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿960.38	฿960.38
	฿853.45	฿8,534.50
	฿746.53	฿74,653.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 1000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿648.38	฿648,380.00
2,000	เสนอราคา

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	ROHM Semiconductor
ประเภทสินค้า:	SiC MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	TO-263-7
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	1.2 kV
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	75 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	23.4 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4.8 V
Qg - ชาร์จเกต:	170 nC
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	267 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
เครื่องหมายการค้า:	ROHM Semiconductor
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	11 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	22 S
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
สินค้า:	MOSFET's
ประเภทสินค้า:	SiC MOSFETS
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	21 ns
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
เทคโนโลยี:	SiC
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	50 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	13 ns
นามแฝงของหมายเลขชิ้นส่วน:	SCT4018KW7

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

SCT4018KW7TL เอกสารข้อมูลสินค้า

Specification Sheets

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET offers low on-resistance and a fast switching speed. The SCT4018KW7 is simple to drive and easy to parallel. The device also features lead-free lead plating and is RoHS compliant. ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET is suitable for solar inverters, induction heating, switch mode power supplies, DC/DC converters, and motor drives.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.