โมดูลแบบ Full-Bridge MOSFET SiC GCMX 1200V

โมดูลแบบ Full-Bridge SiC GCMX 1,200 V ของ SemiQ มีคุณสมบัติการสูญเสียสวิตชิ่งที่ต่ำ ความต้านทานความร้อนจากจุดเชื่อมต่อไปยังเคสต่ำ และการติดตั้งที่ทนทานและง่ายมาก โมดูลเหล่านี้ติดตั้งฮีทซิงค์ (แพคเกจแบบแยก) โดยตรงและรวมการอ้างอิงเคลวินสําหรับการทํางานที่เสถียร ทุกชิ้นส่วนผ่านการทดสอบอย่างเข้มงวดเพื่อให้ทนทานต่อแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า 1,350 V ลักษณะฮอลล์มาร์กของโมดูลเหล่านี้เป็นแรงดันไฟฟ้าระหว่างขาเดรนและขาซอร์สที่ทนทานขนาด 1,200 V โมดูลแบบ Full-bridge GCMX ทํางานที่อุณหภูมิจุดเชื่อมต่อ 175°C และสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS การใช้งานทั่วไปได้แก่ อินเวอร์เตอร์โฟโต้โวลตาอิค ที่ชาร์จแบตเตอรี่ ระบบจัดเก็บพลังงาน และอุปกรณ์แปลงแรงดันไฟ DC เป็น DC แรงดันไฟสูง

ผลการค้นหา: 9
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
ระดับ
การบรรจุ
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
31มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
35มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 20 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 40
หลายรายการ: 40
ม้วน: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 20 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 40
หลายรายการ: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 40
หลายรายการ: 40
ม้วน: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 40
หลายรายการ: 40
ม้วน: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 20 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 40
หลายรายการ: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 20 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 40
หลายรายการ: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk