TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

ผลการค้นหา: 11
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
ยี่ห้อ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
เอกสารข้อมูลสินค้า
438มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
450มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
445มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
เอกสารข้อมูลสินค้า
450มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
450มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
447มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
เอกสารข้อมูลสินค้า
450มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
448มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
เอกสารข้อมูลสินค้า
448มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
707มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
เอกสารข้อมูลสินค้า
445มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement