1700V EliteSiC (Silicon Carbide) Diodes

onsemi 1700V EliteSiC (Silicon Carbide) Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. onsemi 1700V EliteSiC Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI and system size, and increased cost-effectiveness.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
การกำหนดคุณสมบัติ
If - กระแสทางตรง
Vrrm - แรงดันย้อนกลับแบบวนซ้ำ
Vf - แรงดันทางตรง
Ifsm - กระแสเสิร์จทางตรง
Ir - กระแสย้อนกลับ
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ
onsemi SiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,674มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-2 Single 25 A 1.7 kV 1.5 V 220 A 40 uA - 55 C + 175 C NDSH25170A Tube
onsemi SiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 10A TO247
เอกสารข้อมูลสินค้า
619มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 105 A 40 uA - 55 C + 175 C NDSH10170A Tube