DMN3730UFB/4 30V N-Ch MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3730UFB/4 30V N-Channel MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and conduction loss, and yet maintain superior switching performance. Diodes Inc DMN3730UFB/4 MOSFETs are ideal for high efficiency power management applications such as load switches, portable applications, and power management functions. 

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ การบรรจุ
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V 3,248มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000

Si SMD/SMT X2-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V 2,684มีอยู่ในสต็อก
3,00030/3/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000

Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel