600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
การกำหนดคุณสมบัติ
If - กระแสทางตรง
Vrrm - แรงดันย้อนกลับแบบวนซ้ำ
Vf - แรงดันทางตรง
Ifsm - กระแสเสิร์จทางตรง
Ir - กระแสย้อนกลับ
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
680มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 2,500

SMD/SMT DPAK Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
เอกสารข้อมูลสินค้า
ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
ม้วน: 1,000

Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel