ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

กลับไปยังผลการค้นหา

ดูข้อผิดพลาดหรือไม่?

NCV5700DR2G

Name: onsemi NCV5700DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV5700DR2G
Price: 50.4 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-NCV5700DR2G

หมายเลข Mfr.:

NCV5700DR2G

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NCV5700DR2G เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NCV5700DR2G

มีอยู่ในสต็อก: 2,807

สต็อก:: 2,807 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 23 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 2500 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿50.40	฿50.40
	฿37.17	฿371.70
	฿33.71	฿842.75
	฿29.80	฿2,980.00
	฿28.04	฿7,010.00
	฿26.96	฿13,480.00
	฿24.16	฿24,160.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 2500 จำนวนหลายชิ้น)
	฿23.44	฿58,600.00
	฿23.37	฿175,275.00

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	ตัวขับเกต
มาตรฐาน RoHS:
สินค้า:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
ประเภท:	Half-Bridge
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	SOIC-16
จำนวนไดร์ฟเวอร์:	1 Driver
จำนวนขาออก:	1 Output
กระแสขาออก (1):	7.8 A
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด):	0 V
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด):	24 V
การกำหนดคุณสมบัติ:	Inverting, Non-Inverting
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	9.2 ns
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	7.9 ns
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 40 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 125 C
ระดับ:	NCV5700
คุณสมบัติ:	AEC-Q100
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
ค่าสูงสุดของเวลาความล่าช้าในการปิดเครื่อง:	75 ns
ค่าสูงสุดของเวลาความล่าช้าในการปิดเครื่อง:	75 ns
กระแสไฟฟ้าที่จ่ายใช้งาน:	900 uA
แรงดันขาออก:	5 V
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	900 mW
ประเภทสินค้า:	Gate Drivers
การปิด:	Shutdown
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	2500
หมวดหมู่ย่อย:	PMIC - Power Management ICs
เทคโนโลยี:	Si
น้ำหนักต่อหน่วย:	142 mg

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NCV5700DR2G เอกสารข้อมูลสินค้า

Errata

Datasheet update for NCV5700/NCD5700/01 series, DESAT charge current (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver

onsemi NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver features a high-current output of +4/-6A at IGBT Miller Plateau Voltages. The NCV5700 is a high-performance stand-alone IGBT driver for high-power applications. These applications include solar inverters, motor control, and uninterruptible power supplies. This device also eliminates many external components. Device protection features include Active Miller Clamp, accurate UVLO, EN input, DESAT protection and Active Low FAULT output. The driver has an accurate 5.0V output and separate high and low (VOH and VOL) driver outputs for system design convenience. A wide voltage range of bias supplies, including unipolar and bipolar voltages, are accommodated. The NCV5700 is available in a 16-pin SOIC package.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.