ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

TK16A60W5,S4VX

Name: Toshiba TK16A60W5,S4VX
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16A60W5S4VX
Price: 120.58 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

757-TK16A60W5S4VX

หมายเลข Mfr.:

TK16A60W5,S4VX

Mfr.:

Toshiba

คำอธิบาย:

MOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

เอกสารข้อมูลสินค้า:

TK16A60W5,S4VX เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba TK16A60W5,S4VX

เพิ่มลงในโครงการ

เพิ่มหมายเหตุ

มีอยู่ในสต็อก: 160

สต็อก:: 160 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดความผิดพลาดที่ไม่คาดการณ์ไว้ โปรดลองใหม่ในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 32 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

ป้อนจำนวน:

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿120.58	฿120.58
	฿66.95	฿669.50
	฿61.43	฿6,143.00
	฿42.90	฿21,450.00
	฿39.00	฿39,000.00

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	Toshiba
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	Through Hole
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	TO-220FP-3
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	600 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	15.8 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	190 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4.5 V
Qg - ชาร์จเกต:	43 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	40 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
ยี่ห้อ:	DTMOSIV
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	Toshiba
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ความสูง:	15 mm
ความยาว:	10 mm
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระดับ:	TK16A60W5
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	50
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ความกว้าง:	4.5 mm
น้ำหนักต่อหน่วย:	2 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

TK16A60W5,S4VX เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.