TK100A10N1,S4X
รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า
757-TK100A10N1S4X
TK100A10N1,S4X
Mfr.:
คำอธิบาย:
MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
เอกสารข้อมูลสินค้า:
มีอยู่ในสต็อก: 141
-
สต็อก:
-
141 สามารถจัดส่งได้ทันทีเกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
-
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
-
20 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
การตั้งราคา (THB)
| จำนวน | หน่วยราคา |
ต่อ ราคา
|
|---|---|---|
| ฿182.33 | ฿182.33 | |
| ฿96.20 | ฿962.00 | |
| ฿89.70 | ฿8,970.00 | |
| ฿72.80 | ฿36,400.00 | |
| ฿72.15 | ฿72,150.00 |
เอกสารข้อมูลสินค้า
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
