ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

RQ6C065BCTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6C065BCTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6C065BCTCR
Price: 32.83 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

755-RQ6C065BCTCR

หมายเลข Mfr.:

RQ6C065BCTCR

Mfr.:

ROHM Semiconductor

คำอธิบาย:

MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET

เอกสารข้อมูลสินค้า:

RQ6C065BCTCR เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ ROHM Semiconductor RQ6C065BCTCR

มีอยู่ในสต็อก: 3,332

สต็อก:: 3,332 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 16 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿32.83	฿32.83
	฿20.48	฿204.80
	฿14.76	฿1,476.00
	฿12.35	฿6,175.00
	฿11.18	฿11,180.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿9.75	฿29,250.00
	฿9.00	฿54,000.00
	฿8.29	฿74,610.00

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	ROHM Semiconductor
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
REACH - SVHC:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	SOT-457-6
ขั้วทรานซิสเตอร์:	P-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	20 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	6.5 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	21 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 8 V, 8 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	1.2 V
Qg - ชาร์จเกต:	22 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	1.25 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
เครื่องหมายการค้า:	ROHM Semiconductor
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	80 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	9.7 S
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	40 ns
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	3000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 P-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	105 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	14 ns
นามแฝงของหมายเลขชิ้นส่วน:	RQ6C065BC

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

RQ6C065BCTCR เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

Application Notes

Application Note (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.